STS10DN3LH5

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SOIC
数量：: 3276
说明：: MOSFET Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri

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中文参数如下：

功率耗散：2.5 W
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.021 Ohms
漏极连续电流：10 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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