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STP45N60DM6

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 8198  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 30A TO220
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STP45N60DM6-TO-220图片

STP45N60DM6 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1920 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 15A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：MDmesh? DM6
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STP45N60DM6的详细信息，包括STP45N60DM6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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