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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
功率耗散:125 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :20 S
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.065 Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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