STL6N2VH5

厂家：: STMicroelectronics
封装：: PowerFlat?（2x2）
数量：: 7146
说明：: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT

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STL6N2VH5 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.4W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：550 pF @ 16 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA（最小）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 3A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tj）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：STripFET? V
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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