STHU47N60DM6AG

厂家：: STMicroelectronics
封装：: HU3PAK
数量：: 7623
说明：: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

一、本商品被浏览0次.

STHU47N60DM6AG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2350 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 18A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Automotive
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是STHU47N60DM6AG的详细信息，包括STHU47N60DM6AG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：