STH260N6F6-6

厂家：: STMicroelectronics
封装：: H2PAK-6
数量：: 3249
说明：: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

一、本商品被浏览0次.

STH260N6F6-6 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11800 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：183 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 60A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：DeepGATE?, STripFET? VI
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是STH260N6F6-6的详细信息，包括STH260N6F6-6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：