STH10N80K5-2AG

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 H2Pak-2
数量:
 5436  
说明:
 MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STH10N80K5-2AG-H2Pak-2图片

STH10N80K5-2AG PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):121W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):426 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):17.3 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):680 毫欧 @ 4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
漏源电压(Vdss):800 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:STMicroelectronics

以上是STH10N80K5-2AG的详细信息,包括STH10N80K5-2AG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • STH13009图片

    STH13009

    两极晶体管 - BJT HI VT FS SWCH PW TRN NPN

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC