STGW10M65DF2

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-247-3
数量:
 7137  
说明:
 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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STGW10M65DF2 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):96 ns
测试条件:400V,10A,22 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:19ns/91ns
栅极电荷:28 nC
输入类型:标准
开关能量:120μJ(开),270μJ(关)
功率 - 最大值:115 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:M
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

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