STF80N10F7

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220FP
数量:
 3042  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STF80N10F7-TO-220FP图片

STF80N10F7 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):30W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3100 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 40A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
漏源电压(Vdss):100 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:DeepGATE?, STripFET? VII
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STF80N10F7的详细信息,包括STF80N10F7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • STF817A图片

    STF817A

    两极晶体管 - BJT PNP 120 Volt 1.5A

  • STF826图片

    STF826

    两极晶体管 - BJT PNP Medium Power Transistor

  • STF8N65M5图片

    STF8N65M5

    MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh V PWR MO

  • STF8NK100Z图片

    STF8NK100Z

    MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

  • STF8NM50N图片

    STF8NM50N

    MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC