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中文参数如下:
上升时间:70 ns
功率耗散:110 W
栅极电荷 Qg:32 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 S
下降时间:95 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):9.5 mOhms
漏极连续电流:70 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:33 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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