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STD4N25-1

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 IPAK
数量：
 6084  
说明：
 MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 250V 4A
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STD4N25-1-IPAK图片

STD4N25-1 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：75
上升时间：60 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.1 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STD4N25-1的详细信息，包括STD4N25-1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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