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STD18N65M2-EP

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D-PAK（TO-252）
数量：: 5076
说明：: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：375 毫欧 @ 5.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：STMicroelectronics

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