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STB6NM60N

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 7056  
说明：
 MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh
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STB6NM60N-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

STB6NM60N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
上升时间：8 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.92 Ohms
漏极连续电流：4.6 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB6NM60N的详细信息，包括STB6NM60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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