STB23NM60ND

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 6048
说明：: MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：90 ns
上升时间：45 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：19.5 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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