STB180N55F3

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D2PAK
数量：: 7524
说明：: MOSFET Lo Vltg fast Swtch PNP Pwr transistor

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STB180N55F3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：150 ns
功率耗散：330 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0035 Ohms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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