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STB120N10F4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 2988  
说明：
 MOSFET N-CH 100V D2PAK
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STB120N10F4-D2PAK（TO-263）图片

STB120N10F4 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
漏源电压（Vdss）：-
技术：-
FET 类型：-
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STB120N10F4的详细信息，包括STB120N10F4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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