SSR1N60BTM_F080

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 7848
说明：: MOSFET Trans N-Ch 600V 0.9A 3Pin 2+Tab

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SSR1N60BTM_F080 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：45 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.92 S
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 Ohms
漏极连续电流：0.9 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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