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SSR1N50BTF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 8289
说明：: MOSFET

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SSR1N50BTF PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：40 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.3 Ohms
漏极连续电流：1.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：520 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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