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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:300 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:ES-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):450 mOhms
漏极连续电流:0.8 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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