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SPU08P06P

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO251-3
数量：: 2340
说明：

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SPU08P06P PDF参数资料

中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 6.2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.83A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：SIPMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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