SPP80P06P H

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3
数量：: 3659
说明：: MOSFET SIPMOS Power Transistor

一、本商品被浏览0次.

SPP80P06P H PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SP000441774 SPP80P06PHXK SPP80P06PHXKSA1
功率耗散：340 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.023 Ohms
漏极连续电流：- 80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是SPP80P06P H的详细信息，包括SPP80P06P H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：