SPB80P06P G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 4029  
说明:
 MOSFET P-CH 60V 80A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SPB80P06P G-TO-263图片

SPB80P06P G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SP000096088 SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGXT
典型关闭延迟时间:56 ns
工厂包装数量:1
上升时间:18 ns
功率耗散:340 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.023 Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPB80P06P G的详细信息,包括SPB80P06P G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • SPBT2532C2.AT图片

    SPBT2532C2.AT

    蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Class2 Mod 4 I/O 4x12-Bit A/D

  • SPBT2532C2.AT2图片

    SPBT2532C2.AT2

    蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth V2.1 Mod Class2 SPP AT Rev2

  • SPBT2632C2A.AT2图片

    SPBT2632C2A.AT2

    蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Class2 MOD v3.0 RF 128bit 72mHz

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC