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SP8M70TB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 1197
说明：: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：650mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2.5A
漏源电压（Vdss）：250V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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