首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SP8K80TB1

SP8K80TB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 9252
说明：: 10V DRIVE NCH+NCH MOSFET: COMPLE

一、本商品被浏览0次.

SP8K80TB1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：23.5pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.7 欧姆 @ 250mA，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：500V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SP8K80TB1的详细信息，包括SP8K80TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：