SN74V263-6GGM

厂家：: Texas Instruments
封装：: 100-BGA MICROSTAR（10x10）
数量：: 8514
说明：: 先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory

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SN74V263-6GGM-100-BGA MICROSTAR（10x10）图片

SN74V263-6GGM PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：184
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：0 C
包装形式：Tube
封装形式：BGA-100
最大工作温度：+ 70 C
最大工作电流：35 mA
电源电压-最小：3.15 V
电源电压-最大：3.45 V
访问时间：4.5 ns
最大时钟频率：166 MHz
组织：8 K x 18, 16 K x 9
定时类型：Synchronous
存储容量：144 Kbit
总线定向：Unidirectional
数据总线宽度：9 bit, 18 bit
电路数量：2
RoHS：否
产品种类：先进先出
制造商：Texas Instruments

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