SMUN5113DW1T1G

厂家：: onsemi
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 1863
说明：: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

一、本商品被浏览0次.

SMUN5113DW1T1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：表面贴装型
功率 - 最大值：187mW
频率 - 跃迁：-
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是SMUN5113DW1T1G的详细信息，包括SMUN5113DW1T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：