SIS888DN-T1-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8S
数量：: 11305
说明：: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

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SIS888DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：PowerPAK? 1212-8S
封装/外壳：PowerPAK? 1212-8S
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
同步整流器：52W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：420 pF @ 75 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：14.5 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：4.2V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：58 毫欧 @ 10A，10V
输出数：7.5V，10V
输出类型：20.2A（Tc）
拓扑：150 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：ThunderFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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