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SIRA52DP-T1-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3933
说明：: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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SIRA52DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：48W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7150 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：+20V，-16V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 15A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：TrenchFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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