SI7621DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 8019  
说明:
 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
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SI7621DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 3.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.2nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :300pF @ 10V
功率 - 最大:12.5W
安装类型:表面贴装

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