SI6991DQ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSSOP-8
数量：: 441
说明：: MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V

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SI6991DQ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI6991DQ-GE3
工厂包装数量：3000
功率耗散：830 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms
漏极连续电流：3.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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