首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI6924EDQ-T1

SI6924EDQ-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSSOP-8
数量：: 2475
说明：: MOSFET 28V

一、本商品被浏览0次.

SI6924EDQ-T1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：7000 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：2000 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2000 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：33 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：4.6 A
闸/源击穿电压：+/- 14 V
汲极/源极击穿电压：28 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6924EDQ-T1的详细信息，包括SI6924EDQ-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：