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SI6463DQ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TSSOP-8
数量：: 8595
说明：: MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH

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SI6463DQ PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：130 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：14 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quad Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 m Ohms
漏极连续电流：- 8.8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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