SI4459BDY-T1-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 7651  
说明:
 MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
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SI4459BDY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4459BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳:8-SO
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:3.1W(Ta),5.6W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:3490 pF @ 15 V
电压 - 输出(最大值):+20V,-16V
电压 - 输出(最小值/固定):84 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):2.2V @ 250μA
电压 - 输入(最小值):4.9 毫欧 @ 15A,10V
输出数:4.5V,10V
输出类型:20.5A(Ta),27.8A(Tc)
拓扑:30 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:P 通道
产品状态:在售
包装:TrenchFET? Gen IV
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay Siliconix

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