SI4447DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 3881
说明：: MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V

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SI4447DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4447DY-GE3
典型关闭延迟时间：74 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：54 mOhms
漏极连续电流：3.3 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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