SI4378DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 3402  
说明:
 MOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V
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SI4378DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4378DY-GE3
典型关闭延迟时间:140 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:65 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:65 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):27 mOhms
漏极连续电流:19 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4378DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4378DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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