SI3850DV-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TSOP-6
数量:
 8253  
说明:
 MOSFET 20V 1.2/0.85A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI3850DV-T1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 ns at N Channel, 10 ns at P Channel
工厂包装数量:3000
上升时间:20 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:20 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.5 Ohms, 1 Ohms
漏极连续电流:1.2 A, 0.85 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI3850DV-T1的详细信息,包括SI3850DV-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    SI3861DV

    MOSFET 25/8V/20/8V NCh/PCh Load Switch

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC