SI3459BDV-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
数量:
 87322  
说明:
 MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V
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SI3459BDV-T1-GE3-SOT-23-6 细型,TSOT-23-6图片

SI3459BDV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI3459BDV-GE3
典型关闭延迟时间:16 ns, 18 ns
工厂包装数量:3000
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.4 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :4 S
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.216 Ohms
漏极连续电流:2.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3459BDV-T1-GE3的详细信息,包括SI3459BDV-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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