点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：300pF @ 15V，480pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 10V，10nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28mOhm @ 7A，10V，50mOhm @ 6A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），6A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor
以上是SH8MA3TB1的详细信息，包括SH8MA3TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
