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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：610pF @ 25V，1550pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.5nC @ 5V，12.5nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 3A，10V，290 毫欧 @ 2.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），2.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：100V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor
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