首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SH8M13GZETB

SH8M13GZETB

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 8-SOP
数量：
 882  
说明：
 MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SH8M13GZETB-8-SOP图片

SH8M13GZETB PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1200pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 7A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A，7A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：N 和 P 沟道
技术：-
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8M13GZETB的详细信息，包括SH8M13GZETB厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    • SH8M2TB1图片

      SH8M2TB1

      MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET

    • SH8M4TB1图片

      SH8M4TB1

      MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET

    • SH8M5TB1图片

      SH8M5TB1

      MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET

    • SH8M70TB1图片

      SH8M70TB1

      MOSFET Nch+Pch 250V/-250V 3A/-2.5A; MOSFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC