SH8JB5TB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 12052
说明：: -40V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2870pF @ 20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.3 毫欧 @ 8.5A， 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：40V
FET 功能：-
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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