SH8J31GZETB

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 14569
说明：: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2500pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 4.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：-
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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