SH32N65DM6AG

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 9-ACEPACK SMIT
数量：: 8422
说明：: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

一、本商品被浏览0次.

SH32N65DM6AG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：9-PowerSMD
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：208W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2211pF @ 100V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：97 毫欧 @ 23A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650V
FET 功能：-
配置：2 个 N 通道（半桥）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：ECOPACK?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是SH32N65DM6AG的详细信息，包括SH32N65DM6AG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：