SEP8505-001

厂家:
  Honeywell
封装:
 径向
数量:
 2844  
说明:
 红外发射源 GaAs Infrared Emitting Diode
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SEP8505-001 PDF参数资料

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中文参数如下:

显示角:15 deg
功率额定值:70 mW
透镜形状:Circular
照明颜色:Infrared
封装形式:T-1
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
波长:935 nm
RoHS:是
制造商:Honeywell

以上是SEP8505-001的详细信息,包括SEP8505-001厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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