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SCTH70N120G2V-7

厂家：: STMicroelectronics
封装：: H2PAK-7
数量：: 1143
说明：: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

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SCTH70N120G2V-7 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：469W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 50A，18V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是SCTH70N120G2V-7的详细信息，包括SCTH70N120G2V-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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