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中文参数如下:
:175°C(TJ)
功率耗散(最大值):93W
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1498 pF @ 800 V
Vgs(最大值):+21V,-4V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):64 nC @ 18 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 6.45mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):81 毫欧 @ 12A,18V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tj)
漏源电压(Vdss):1200 V
技术:SiCFET(碳化硅)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor
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