SCT2450KEGC11

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-247N
数量：: 8748
说明：: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

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SCT2450KEGC11 PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：85W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：463 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-6V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27 nC @ 18 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 900μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：585 毫欧 @ 3A，18V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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