SCT2120AFC

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 1377
说明：: SICFET N-CH 650V 29A TO220AB

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中文参数如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：165W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 500 V
Vgs（最大值）：+22V，-6V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：156 毫欧 @ 10A，18V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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