RUU002N05T106

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: UMT3
数量：: 5247
说明：: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3

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RUU002N05T106 PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：200mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：50 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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