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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:15 ns
工厂包装数量:8000
上升时间:10 ns
功率耗散:150 mW
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:VMT-3
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:200 mA
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RUM002N02T2L的详细信息,包括RUM002N02T2L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!